FD-491多普勒胎心監(jiān)護(hù)儀

動態(tài) RAM陣列 動態(tài) RAM 是構(gòu)成以上提到的兩種不同結(jié)構(gòu)的圖像存心、由于超聲圖像存儲器的容量大，因此通常選用大容量動態(tài) RAM心片來構(gòu)成 RAw的。用的有如4116（16K×1bit）、4816（16Kx×1bit）和4416（64K×1bit）等。這些動態(tài)R啊共同的特點(diǎn)都是16 腳管座標(biāo)準(zhǔn)封裝，因而它們的引腳數(shù)較少。而選擇 16K態(tài)以W的 14 位地址（2"=16 384）、選擇64K存儲單元16位地址信息（2"=65 536），顯然它代都不夠用。為此總是把地址信息分兩次鎖存到芯片內(nèi)部，再共同譯碼訪問*的夜汕比如16K容量的4116，可以把14 位地址分成兩組7位的地址信息，分兩次傳送公W片內(nèi)部的地址鎖存器。兩個地址鎖存器個稱為行地址鎖存器，個稱為列地址輔A別由RAS和CAS信號進(jìn)行選通，因此RAS稱為行地址選通信號，CAS稱為列地址選通"寫允許 WE（或用R/W表示）信號決定對RAM芯片進(jìn)行寫操作還是讀操作。當(dāng)WE;平時允許寫入數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)輸入Dn上的輸入數(shù)據(jù)寫進(jìn)被選中的存儲單元;當(dāng)WE為高》為讀出數(shù)據(jù) 把選中的存儲單元數(shù)據(jù)送到數(shù)據(jù)輸出端 Dour。當(dāng)然，并不是每種RAM芯雙數(shù)據(jù)口。

除了上面提到的讀、寫兩種操作之外，動態(tài) RAM 還有種特殊的操作方式，即讀（RMW）操作方式。它是緊跟在次讀出操作之后再進(jìn)行次寫入操作，兩次操作有腿地址。個RWM周期比個讀或?qū)懼芷陂L，但比進(jìn)行次讀和次寫操作的時間之，這是因?yàn)?RMW 操作中，由讀出狀態(tài)變?yōu)閷懭霠顟B(tài)后，不需要再等待地址信息的穩(wěn)定 RAM的這種 RMW操作方式是種很有用的操作方式，它在 B超圖像存儲器中，潮現(xiàn)圖像的幀相關(guān)（后兩幀圖像的平滑）處理。

由動態(tài) RAM 芯片構(gòu)成的存儲器還有兩個需要提及的問題∶其是操作周期的設(shè)定，分出的是讀或?qū)懖僮髦芷诘男≈担瑢?shí)際設(shè)計值必須要留有余量;即RAS的周期必芯片的讀、寫周期Tcv，否則將可能造成數(shù)據(jù)的不穩(wěn)定;其二是數(shù)據(jù)刷新問題，弧 M須定期地進(jìn)行數(shù)據(jù)刷新，比如4816 要求每2ms 對所有的存儲單元刷新次，才眺不至于丟失。刷新般是通過執(zhí)行只有RAS的動態(tài)存儲器周期來實(shí)現(xiàn)的，但在對行讀或?qū)懖僮鞯倪^程中，被訪問行的全部存儲單元也將被自動刷新，因此，對B愈編刷新問題可以通過對存儲器寫入單元地址的合理安排來解決，并不需要像訂界門的刷新電路。

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